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參數(shù)資料
| 型號： | KFG5616Q1M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND256 |
| 中文描述： | OneNAND256 |
| 文件頁數(shù)： | 51/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | KFG5616Q1M |
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OneNAND256
FLASH MEMORY
51
Within a block, the pages must be programmed consecutively from the LSB (least significant bit) page of the block to MSB (most sig-
nificant bit) pages of the block. Random page address programming is prohibited.
From the LSB page to MSB page
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(1)
(2)
(3)
(32)
(64)
Data register
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Page 1
Page 2
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Ex.) Random page program (Prohibition)
DATA IN: Data (1)
Data (64)
(2)
(32)
(3)
(1)
(64)
Data register
Page 0
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8.7.1 Addressing for program operation
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG5616Q1M-DEB | OneNAND256 |
| KFG5616U1M-DIB | OneNAND256 |
| KFM110 | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR THR IF CIRCUITS OF CORDLESS PHONE) |
| KFM1216Q2M | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG5616Q1M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND256 |
| KFG5616U1A-DIB | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG5616U1A-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY |
| KFG5616U1A-DIB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256MNOFLASHADE-MUXED SLC W/X16(7X9) - Bulk |
| KFG5616U1A-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY |
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