- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374332 > KFG5616Q1M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) OneNAND256 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG5616Q1M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND256 |
| 中文描述： | OneNAND256 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 74/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | KFG5616Q1M |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)當(dāng)前第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)
OneNAND256
FLASH MEMORY
74
9. DC CHARACTERISTICS
1. CE should be VIH for RDY. IOBE should be ’0’ for INT.
2. Icc active for Host access
3. ICC active while Internal operation is in progress.
Parameter
Symbol
Test Conditions
1.8V device
2.65V device
3.3V device
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
- 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0
μ
A
Output Leakage Cur-
rent
I
LO
V
OUT
=V
SS
to V
CC
, V
CC
=V
CCmax
,
CE or OE=V
IH
(Note 1)
- 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0 - 1.0
-
+ 1.0
μ
A
Active Asynchronous
Read Current (Note 2)
I
CC1
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
-
10
20
-
10
20
mA
Active Burst Read Cur-
rent (Note 2)
I
CC2
CE=V
IL
, OE=V
IH
54MHz
-
12
20
-
20
30
-
20
30
mA
1MHz
-
3
4
-
4
6
-
4
6
mA
Active Write Current
(Note 2)
I
CC3
CE=V
IL
, OE=V
IH
-
8
15
-
10
20
-
10
20
mA
Active Load Current
(Note 3)
I
CC4
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH,
V
IN
=V
IH
or
V
IL
-
20
25
-
20
30
-
20
30
mA
Active Program Cur-
rent (Note 3)
I
CC5
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH,
V
IN
=V
IH
or
V
IL
-
20
25
-
20
30
-
20
30
mA
Erase/Multi Block
Erase Current (Note 3)
I
CC6
CE=V
IL
, OE=V
IH
, WE=V
IH
,
V
IN
=V
IH
or
V
IL,
64blocks
-
15
20
-
18
25
-
18
25
mA
Standby Current
I
SB
CE= RP=V
CC
±
0.2V
-
10
50
-
15
50
-
15
50
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.4
-0.5
-
0.4
0
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
V
CCq
-
0.4
-
V
CCq
+0.4
V
CCq
-
0.4
-
V
CCq
+0.4
0.7*V
CCq
-
V
CCq
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
,
V
CCq
=V
CCqmin
-
-
0.2
-
-
0.2
-
-
0.22*
Vccq
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -100
μ
A , V
CC
=V
CCmin
,
V
CCq
=V
CCqmin
V
CCq
-
0.1
-
-
V
CCq
-
0.4
-
-
0.8*V
CCq
-
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG5616Q1M-DEB | OneNAND256 |
| KFG5616U1M-DIB | OneNAND256 |
| KFM110 | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR THR IF CIRCUITS OF CORDLESS PHONE) |
| KFM1216Q2M | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG5616Q1M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND256 |
| KFG5616U1A-DIB | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG5616U1A-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY |
| KFG5616U1A-DIB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256MNOFLASHADE-MUXED SLC W/X16(7X9) - Bulk |
| KFG5616U1A-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。