參數(shù)資料
型號(hào)： KFG5616Q1M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND256
中文描述： OneNAND256
文件頁數(shù)： 87/93頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： KFG5616Q1M
OneNAND256
FLASH MEMORY
87
10.6 Performance
NOTES:
1. These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-
down resistor value. Please refer to page 72 and 73.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
t
RD1
-
35
45
μ
s
Page Load time(Note 1)
t
RD2
-
50
75
μ
s
Sector Program time(Note 1)
t
PGM1
-
320
720
μ
s
Page Program time(Note 1)
t
PGM2
-
350
750
μ
s
OTP Access Time(Note 1)
t
OTP
-
600
1000
ns
Lock/Unlock/Lock-tight Time(Note 1)
t
LOCK
-
600
1000
ns
Erase Suspend Time(Note 1)
t
ESP
-
400
500
μ
s
Erase Resume Time(Note 1)
1 Block
t
ERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
ERS2
4
5
ms
Number of Partial Program Cycles in the sector
(Including main and spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
BERS2
-
4
5
ms
Multi BlocK Erase Verify Read time(Note 1)
t
RD3
-
115
135
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG5616Q1M-DEB OneNAND256
KFG5616U1M-DIB OneNAND256
KFM110 SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR THR IF CIRCUITS OF CORDLESS PHONE)
KFM1216Q2M FLASH MEMORY
KFM1216Q2M-DEB FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG5616Q1M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND256
KFG5616U1A-DIB 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG5616U1A-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616U1A-DIB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256MNOFLASHADE-MUXED SLC W/X16(7X9) - Bulk
KFG5616U1A-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
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