參數(shù)資料
型號： KFM1216Q2M-DED
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 74/88頁
文件大?。?/td> 1150K
代理商： KFM1216Q2M-DED
MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
74
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tr[us]
@ Vcc = 1.8V, Ta = 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.089
tf[ns]
0.7727
1.345
1.788
3.77
3.77
3.77
3.77
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.142
2.431
3.77
3.77
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
5.420
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready Vcc
VOH
tf
tr
VOL
Vss
~50k ohm
INT
Internal Vcc
Rp
INT pol = ’High’
Determing Rp Value
Because the pull-up resistor value is related to tr(INT), an appropriate value can be obtained by the following reference charts.
Technical Notes
(Continued)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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