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參數(shù)資料
| 型號： | KFM1216Q2M-DED |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 81/88頁 |
| 文件大?。?/td> | 1150K |
| 代理商： | KFM1216Q2M-DED |
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MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
81
Figure 28. Asynchronous Read Mode
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
Case 2 : Valid Address Transition occurs after AVD is driven to Low
t
OE
Valid RD
t
OEZ
t
ACC
t
AAVDH
t
AVDP
t
AAVDS
CE
OE
WE
A/DQ0:
A/DQ15
AVD
t
WEA
t
CEZ
t
CA
t
CER
t
AVDO
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
RC
t
CE
Hi-Z
VA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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