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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFM1216Q2M-DED |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 83/88頁(yè) |
| 文件大小： | 1150K |
| 代理商： | KFM1216Q2M-DED |
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MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
83
10.5 Asynchronous Write
10.6 Performance
NOTES:
1. These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-
down resistor value. Please refer to page 74 and 75.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
WE Cycle Time
t
WC
70
-
-
ns
AVD low pulse width
t
AVDP
12
-
-
ns
Address Setup Time
t
AAVDS
5
-
-
ns
Address Hold Time
t
AAVDH
7
-
-
ns
Data Setup Time
t
DS
30
-
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
-
ns
CE Setup Time
t
CS
0
-
-
ns
CE Hold Time
t
CH
0
-
-
ns
WE Pulse Width
t
WPL
40
-
-
ns
WE Pulse Width High
t
WPH
30
-
-
ns
WE Disable to AVD Enable
t
WEA
15
-
-
ns
CE low to RDY valid
t
CER
-
-
15
ns
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
t
RD1
-
40
45
μ
s
Page Load time(Note 1)
t
RD2
-
85
100
μ
s
Sector Program time(Note 1)
t
PGM1
-
320
720
μ
s
Page Program time(Note 1)
t
PGM2
-
350
750
μ
s
OTP Access Time(Note 1)
t
OTP
-
600
1000
ns
Lock/Unlock/Lock-tight Time(Note 1)
t
LOCK
-
600
1000
ns
Number of Partial Program Cycles in the sector
(Including main and spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM210M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR US PCS IF STAGE) |
| KFM220M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR KOREAN PCS IF STAGE) |
| KFM85M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR CDMA IF STAGE) |
| KFN2G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KFM1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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