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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFM1216Q2M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/88頁 |
| 文件大小： | 1150K |
| 代理商： | KFM1216Q2M |
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MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
31
7.4 Data Buffer size Register(R): F003h, default=0800h
DataBufSize
: total data buffer size in words in the MuxOneNAND interface
Equals two buffers of 1024 words each(2x1024=2
N
, N=11)
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DataBufSize
7.5 Boot Buffer size Register (R): F004h, default=0200h
BootBufSize
: total boot buffer size in words in the MuxOneNAND interface
(512 words=2
9
, N=9)
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
BootBufSize
7.6 Amount of Buffers Register (R): F005h, default=0201h
DataBufAmount
: the amount of data buffer=2
(2
N
, N=1)
BootBufAmount
: the amount of boot buffer=1
(2
N
, N=0)
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DataBufAmount
BootBufAmount
7.7 Technology Register (R): F006h, default=0000h
Tech
: technology information, what technology is used for the MuxOneNAND
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Tech
Tech
Technology
0000h
NAND SLC
0001h
NAND MLC
0002h
NOR SLC
0003h
NOR MLC
0004h-FFFFh
Reserved
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFM210M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR US PCS IF STAGE) |
| KFM220M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR KOREAN PCS IF STAGE) |
| KFM85M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR CDMA IF STAGE) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFM17113 | 制造商:Luxo 功能描述:KFM ILLUMINATED MAGNIFIER W/CLAMP 3-DIOPTER 45" BLAC |
| KFM1G16Q2B-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB ONENAND X16 FBGA - Trays |
| KFM1G16Q2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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