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參數(shù)資料
| 型號： | KFM1216Q2M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 66/88頁 |
| 文件大?。?/td> | 1150K |
| 代理商： | KFM1216Q2M |
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MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
66
8.15 Data Protection during Power Down
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
V
CC
RP
NAND Flash Core
Write Protected
Idle
MuxOneNAND Reset
INT
MuxOneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
Figure 21. Data Protection during Power Down
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFM210M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR US PCS IF STAGE) |
| KFM220M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR KOREAN PCS IF STAGE) |
| KFM85M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR CDMA IF STAGE) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFM17113 | 制造商:Luxo 功能描述:KFM ILLUMINATED MAGNIFIER W/CLAMP 3-DIOPTER 45" BLAC |
| KFM1G16Q2B-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB ONENAND X16 FBGA - Trays |
| KFM1G16Q2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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