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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFM1216Q2M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 79/88頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1150K |
| 代理商： | KFM1216Q2M |
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MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
79
SWITCHING WAVEFORMS
5 cycles for initial access shown.
BRL = 4
t
CES
t
AVDS
t
AVDH
t
ACS
t
ACH
t
IAA
t
RDYO
t
BA
t
BDH
t
CLK
Hi-Z
CE
CLK
AVD
OE
RDY
≈
≈
≈
≈
t
RDYS
Figure 25. 8 word Linear Burst Mode with Wrap Around
t
RDYA
5 cycles for initial access shown.
BRL = 4
t
CES
t
AVDS
t
AVDH
t
ACS
t
ACH
t
IAA
t
BA
t
BDH
t
CLK
Hi-Z
CE
CLK
AVD
OE
RDY
≈
≈
≈
NOTE:
In order to avoid a bus conflict the OE signal is enabled on the next rising edge after AVD is going high.
t
RDYS
Figure 26. Continous Linear Burst Mode with Wrap Around
t
RDYA
t
OE
t
OE
≈
A/DQ0:
A/DQ15
A/DQ0:
A/DQ15
t
CER
t
AVDO
t
CEZ
t
OEZ
D7
D0
D1
D2
D3
D7
D0
t
CEZ
t
OEZ
Da+1
Da+2
Da+3
Da+4
Da+5
Da+n Da+n+1
t
AVDO
t
CLKH
t
CLKL
Hi-Z
Hi-Z
t
RDYO
t
CER
Da
D6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFM210M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR US PCS IF STAGE) |
| KFM220M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR KOREAN PCS IF STAGE) |
| KFM85M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR CDMA IF STAGE) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM1216Q2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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| KFM1G16Q2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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