參數(shù)資料
型號： KM23C8105DG
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS Mask ROM(8M位(1Mx8 /512Kx16)掩膜ROM)
中文描述： 800萬位（1Mx8 / 512Kx16）的CMOS掩模ROM（800萬位（1Mx8 / 512Kx16）掩膜光盤）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： KM23C8105DG
KM23C8105D(G)
CMOS MASK ROM
TIMING DIAGRAM
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D
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A
-1(*1)
1 st
2 nd
3 rd
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t
RC
t
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t
OE
t
AA
NOTES :
*1. Byte Mode only. A
-1
is Least Significant Bit Address.(BHE = V
IL
)
*2. Word Mode only.(BHE = V
IH
)
*3. t
DF
is defined as the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to V
OH
or V
OL
level.
t
AA
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t
PA
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PDF描述
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