參數(shù)資料
型號(hào)： KM416C254DL
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(256K x 16位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）)
中文描述： 256 × 16位分辨率的CMOS擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（256K × 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出））
文件頁數(shù)： 8/36頁
文件大?。?/td> 777K
代理商： KM416C254DL
KM416C254D/DL, KM416V254D/DL
CMOS DRAM
If
RAS
goes high before CAS high going, the open circuit condition of the output is achieved by CAS high going. If CAS
goes
high before RAS high going, the open circuit condition of the output is achieved by RAS going.
t
ASC
,
t
CAH
are referenced to the earlier CAS rising edge.
t
CP
is specified from the last CAS rising edge in the previous cycle to the first CAS falling edge in the next cycle.
t
CWD
is referenced to the later CAS falling edge at word red-modify-write cycle.
t
CWL
is specified from W falling edge to the earlier CAS rising edge.
t
CSR
is referenced to earlier CAS falling low before RAS transition low.
t
CHR
is referenced to the later CAS rising high after RAS transition low.
t
CSR
t
CHR
RAS
LCAS
UCAS
t
DS
t
DH
LCAS
DQ0 ~ DQ15
Din
20.
18.
17.
16.
13.
15.
14.
19.
UCAS
W
t
DS
, t
DH
are specified for the earlier CAS falling low.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416V254DL 256K x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(256K x 16位 CMOS 動(dòng)態(tài)RAM（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）)
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