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參數(shù)資料
| 型號： | KM416C4000B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位CMOS 動態(tài)RAM（帶快速頁模式）) |
| 中文描述： | 4米× 16位的快速頁面模式的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶快速頁模式）） |
| 文件頁數(shù)： | 6/35頁 |
| 文件大小： | 751K |
| 代理商： | KM416C4000B |
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KM416C4000B,
KM416C4100B
CMOS DRAM
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
Parameter
Symbol
-45
-5
-6
Units
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Refresh period (4K, Normal)
t
REF
64
64
64
ms
Refresh period (8K, Normal)
t
REF
t
WCS
64
64
64
ms
Write command set-up time
0
0
0
ns
7
CAS to W delay time
t
CWD
t
RWD
32
36
38
ns
7,15
RAS to W delay time
67
73
83
ns
7
Column address to W delay time
t
AWD
t
CPWD
43
48
53
ns
7
CAS precharge W delay time
48
53
60
ns
CAS set-up time (CAS -before-RAS refresh)
t
CSR
t
CHR
5
5
5
ns
17
CAS hold time (CAS -before-RAS refresh)
10
10
10
ns
18
RAS to CAS precharge time
t
RPC
t
CPA
5
5
5
ns
Access time from CAS precharge
26
30
35
ns
3
Fast Page mode cycle time
t
PC
t
PRWC
31
35
40
ns
Fast Page mode read-modify-write cycle time
70
76
85
ns
CAS precharge time (Fast Page cycle)
t
CP
t
RASP
9
10
10
ns
14
RAS pulse width (Fast Page cycle)
45
200K
50
200K
60
200K
ns
RAS hold time from CAS precharge
t
RHCP
t
OEA
28
30
35
ns
OE access time
12
13
15
ns
OE to data delay
t
OED
t
OEZ
12
13
13
ns
Output buffer turn off delay time from OE
0
13
0
13
0
13
ns
6
OE command hold time
t
OEH
t
WTS
12
13
15
ns
Write command set-up time (Test mode in)
10
10
10
ns
11
Write command hold time (Test mode in)
t
WTH
t
WRP
15
15
15
ns
11
W to RAS precharge time (C-B-R refresh)
10
10
10
ns
W to RAS hold time (C-B-R refresh)
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
10
10
10
ns
RAS pulse width (C-B-R self refresh)
100
100
100
us
20,21,22
RAS precharge time (C-B-R self refresh)
80
90
110
ns
20,21,22
CAS hold time (C-B-R self refresh)
-50
-50
-50
ns
20,21,22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C4104B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS 動態(tài)RAM（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416C4000C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C4004C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| KM416C4100B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| KM416C4100C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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