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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416S1120D |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| 中文描述： | 為512k × 16位× 2銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1131K |
| 代理商： | KM416S1120D |
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KM416S1120D
CMOS SDRAM
- 15
Rev. 1.4 (Jun. 1999)
1) Clock Suspended During Write (BL=4)
1. CLOCK Suspend
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
CLK
CMD
CKE
Internal
CKE
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Masked by CKE
2) Clock Suspended During Read (BL=4)
D
0
Q
1
Not Written
1) Write Mask (BL=4)
2. DQM Operation
WR
D
0
D
1
D
3
D
0
D
1
D
3
CLK
CMD
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Masked by DQM
2) Read Mask (BL=4)
RD
Q
0
Q
2
Q
3
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by DQM
DQM to Data-in Mask = 0
DQM to Data-out Mask = 2
Hi-Z
Hi-Z
3) DQM with Clock Suspended (Full Page Read)
Note 2
CLK
RD
CMD
CKE
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Q
0
Q
4
Q
7
Q
8
Q
2
Q
3
Q
6
Q
7
Q
1
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
DQM
*Note :
1. CKE to CLK disable/enable = 1CLK.
2. DQM makes data out Hi-Z after 2CLKs which should masked by CKE " L"
3. DQM masks both data-in and data-out.
BASIC FEATURE AND FUNCTION DESCRIPTIONS
RD
Q
0
Q
2
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by CKE
Q
3
Suspended Dout
Q
6
Q
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S16230A | 4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| KM416S4030C | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F10 | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F7 | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F8 | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S1120DT-G/F10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| KM416S1120DT-G/F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S1120DT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S1120DT-G/FC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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