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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S4030CT-F8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16 × 4銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 124K |
| 代理商： | KM416S4030CT-F8 |
KM416S4030C
REV. 2 June '98
CMOS SDRAM
Preliminary
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
DD
(V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
I (mA)
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.0
0.23
1.34
3.02
5.06
7.35
9.83
12.48
15.30
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
-2.6
-2.4
-2.2
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
I (mA)
-57.23
-45.77
-38.26
-31.22
-24.58
-18.37
-12.56
-7.57
-3.37
-1.75
-0.58
-0.05
0.0
0.0
0.0
0.0
20
15
10
5
0
0
3
1
2
Voltage
m
I (mA)
Voltage
m
I (mA)
Minimum V
DD
clamp current
(Referenced to V
DD
)
Minimum V
SS
clamp current
0
-10
-20
-30
-40
-3
0
-2
-1
-50
-60
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4030CT-FH | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-FL | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-G | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416V4004B | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM416V4004C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S4030CT-FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-FL | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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