參數(shù)資料
型號： KM416V4004B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出))
中文描述： 4米× 16位的擴展數(shù)據(jù)輸出的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器（帶擴展數(shù)據(jù)輸出））
文件頁數(shù)： 12/36頁
文件大?。?/td> 793K
代理商： KM416V4004B
KM416V4004B,
KM416V4104B
CMOS DRAM
NOTE : D
IN
= OPEN
UPPER BYTE READ CYCLE
RAS
V
IH
-
V
IL
-
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
t
AA
t
OEA
t
CAC
t
CLZ
t
RAC
OPEN
DATA-OUT
t
OEZ
t
CEZ
t
RRH
t
RCH
Don
′
t care
Undefined
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
RPC
t
RCS
t
OLZ
相關PDF資料
PDF描述
KM416V4004C 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出))
KM416V4100B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM41V4000D RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KM416V4004C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4100B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V4100C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
KM416V4104B 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
KM416V4104C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*