參數(shù)資料
型號： KM416V4004C
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出))
中文描述： 4米× 16位的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出的CMOS動態(tài)RAM（4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器（帶擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出））
文件頁數(shù)： 14/36頁
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代理商： KM416V4004C
KM416V4004C,KM416V4104C
CMOS DRAM
t
CRP
RAS
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COLUMN
ADDRESS
ROW
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LOWER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
NOTE : D
OUT
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V
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IH
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V
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IH
-
V
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-
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CRP
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t
WP
t
DH
DATA-IN
t
CRP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416V4100B 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(4M x 16位 CMOS動態(tài)RAM(帶快速頁模式))
KM41V4000D RES,Film,0.33Ohms,250WV,200ppm-TC,4112-Case RoHS Compliant: Yes
KM4211IM8TR3 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
KM4211IM8 Dual, 0.2mA, Low Cost, +2.7V & +5V, 35MHz Rail-to-Rail Amp
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參數(shù)描述
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