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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位× 4銀行同步DRAM（4米× 4位× 4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 18/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM44S16030B |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - III
ELECTRONICS
REV. 3 Feb. '98
1) Read interrupted by Read (BL=4)
3. CAS Interrupt (I)
CLK
CMD
ADD
Note 1
RD
RD
A
B
QA
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
0
QA
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
0
tCCD
Note 2
2) Write interrupted by Write (BL=2)
3) Write interrupted by Read (BL=2)
WR
WR
A
B
tCCD Note 2
DA
0
DB
1
DB
0
tCDL
Note 3
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
RD
A
B
tCCD Note 2
tCDL
Note 3
DA
0
QB
1
QB
0
DA
0
QB
1
QB
0
DQ(CL2)
DQ(CL3)
*Note :
1. By " Interrupt", It is meant to stop burst read/write by external command before the end of burst.
By "CAS Interrupt", to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
DQ(CL2)
DQ(CL3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S16030C | 4M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(4M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44S32030B | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030 | 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V16104B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
| KM44V16004B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶擴展數(shù)據(jù)輸出)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/FA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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