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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM6164002BI |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(256Kx16位低功耗CMOS 靜態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 256K × 16位高速CMOS靜態(tài)RAM（256Kx16位低功耗的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | KM6164002BI |
KM6164002B, KM6164002BI
CMOS SRAM
PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
Rev 2.1
June 1998
- 7 -
PRELIMINARY
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(OE =Low fixed)
Address
CS
UB, LB
WE
Data in
Data out
t
WC
t
CW(3)
t
BW
t
WP1(2)
t
DH
t
DW
t
WR(5)
t
AS(4)
t
OW
t
WHZ(6)
(10)
(9)
High-Z
Valid Data
t
AW
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(3)
(CS=Controlled)
Address
CS
t
AW
t
DW
t
DH
Valid Data
WE
Data in
Data out
High-Z
High-Z(8)
UB, LB
t
CW(3)
t
WP(2)
t
AS(4)
t
WC
t
WR(5)
High-Z
High-Z
t
LZ
t
WHZ(6)
t
BW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM6164002 | CMOS SRAM |
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| KM616FS4110 | 256K x 16 Bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(256K x 16位超低功耗低電壓CMOS 靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KM6164002I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS SRAM |
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