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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM616FS4110 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 Bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM(256K x 16位超低功耗低電壓CMOS 靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256K × 16位超低功耗和低電壓的CMOS全靜態(tài)RAM（256K × 16位超低功耗低電壓的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | KM616FS4110 |
Revision 0.11
June 1998
CMOS SRAM
KM616FS4110 Family
Preliminary
- 9 -
PACKAGE DIMENSIONS
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
C
B/2
C
B
B1
C
Ball #A1
B
B/2
Elastomer
SRAM Die
C
Ball #A1
C
Bottom View
Top View
D
E
E
E
C
Detail A
Side View
0
0
0
A
Y
Elastomer
0.3/Typ.
Die
Detail A
Notes.
1. Bump counts: 48(8row x 6column)
2. Bump pitch: (x,y)=(0.75 x 0.75)(typ.)
3. All tolerance are +/-0.050 unless
otherwise specified.
4. Typ: Typical
5. Y is coplanarity: 0.08(Max)
Min
Typ
Max
A
-
0.75
-
B
8.10
8.20
8.30
B1
-
3.75
-
C
8.60
8.70
8.80
C1
-
5.25
-
D
0.30
0.35
0.40
E
-
0.93
0.94
E1
-
0.68
-
E2
-
0.25
-
Y
-
-
0.08
Unit : millimeter(inch)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM616S4110C | 256Kx16 Bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM(256K x 16位低功耗低電壓CMOS 靜態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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