參數(shù)資料
型號(hào)： KM616V1002BI
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64K x 16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating)(64K x 16 位高速CMOS 靜態(tài) RAM(3.3V 工作))
中文描述： 64K的× 16位高速CMOS靜態(tài)RAM（3.3V的工作）（64K的× 16位高速的CMOS靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（3.3V的工作））
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： KM616V1002BI
KM616V1002B/BL, KM616V1002BI/BLI
CMOS SRAM
PRELIMINARY
PPreliminary
Rev 2.1
- 6 -
August 1998
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1)
(OE =Clock)
Address
CS
UB, LB
WE
Data in
Data out
t
WC
t
CW(3)
t
BW
t
WP(2)
t
AS(4)
t
DH
t
DW
t
OHZ(6)
High-Z
High-Z
Valid Data
OE
t
AW
t
WR(5)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2)
(OE =Low fixed)
Address
CS
UB, LB
WE
Data in
Data out
t
WC
t
CW(3)
t
BW
t
WP1(2)
t
DH
t
DW
t
WR(5)
t
AS(4)
t
OW
t
WHZ(6)
(10)
(9)
High-Z
Valid Data
t
AW
High-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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