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參數(shù)資料
| 型號： | KMM366S204CT |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2Mx64 SDRAM DIMM(2Mx64 動態(tài) RAM模塊) |
| 中文描述： | 2Mx64 SDRAM的內存（2Mx64動態(tài)內存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | KMM366S204CT |
KMM366S204CT
REV. 3 Mar. '98
PC100 SDRAM MODULE
Preliminary
Revision History
Revision .2 (Feb. 1998)
- Input leakage Currents (Inputs / DQ) of Component level are changed.
IIL(Inputs) :
±
5uA to
±
1uA, IIL(DQ) :
±
5uA to
±
1.5uA.
- Cin to be measured at V
DD
= 3.3V, T
A
= 23
°
C, f = 1MHz, V
REF
=1.4V
±
200 mV.
- Refresh cycle is changed 2K/32ms to 4K/64ms.
Revision .3 (Mar. 1998)
AC Operating Condition is changed as defined :
- V
IH
(max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is
≤
3ns.
V
IL
(min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is
≤
3ns.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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