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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM366S403CTL |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PC66 SDRAM MODULE |
| 中文描述： | PC66 SDRAM內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 162K |
| 代理商： | KMM366S403CTL |
PC66 SDRAM MODULE
KMM366S403CTL
REV. 3 Mar. '98
1. Parameters depend on programmed CAS latency.
2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf) = 1ns.
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.
Notes :
AC CHARACTERISTICS
(AC operating conditions unless otherwise noted)
REFER TO THE INDIVIDUAL COMPONENET, NOT THE WHOLE MODULE.
Parameter
Symbol
-
0
Unit
Note
Min
Max
CLK cycle time
CAS latency=3
t
CC
10
1000
ns
1
CAS latency=2
13
CLK to valid
output delay
CAS latency=3
t
SAC
7
ns
1,2
CAS latency=2
8
Output data
hold time
CAS latency=3
t
OH
3
ns
2
CAS latency=2
3
CLK high pulse width
t
CH
3.5
ns
3
CLK low pulse width
t
CL
3.5
ns
3
Input setup time
t
SS
2.5
ns
3
Input hold time
t
SH
1
ns
3
CLK to output in Low-Z
t
SLZ
1
ns
2
CLK to output
in Hi-Z
CAS latency=3
t
SHZ
7
ns
CAS latency=2
8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMM366S403CTL-G0 | PC66 SDRAM MODULE |
| KMM366S403CT | 4Mx64 SDRAM DIMM(4Mx64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S404BTL | 4Mx64 SDRAM DIMM(4Mx64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S804BTL | 8Mx64 SDRAM DIMM(8Mx64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
| KMM366S823BTL | 8Mx64 SDRAM DIMM(8Mx64 動(dòng)態(tài) RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KMM372C1600BS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K 8K Refresh 5V |
| KMM372C1680BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 72 DRAM DIMM with ECC Using 16Mx4, 4K 8K Refresh 5V |
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