參數(shù)資料
型號： KST5179
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： RF Amplifier Transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： KST5179
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation (T
a
=25
°
C)
Derate above 25
°
C
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
fe
Small Signal Current Gain
NF
Noise Figure
Parameter
Value
20
12
2.5
50
350
2.8
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
mW/
°
C
°
C
°
C
Test Condition
Min.
20
12
2.5
Max.
Units
V
V
V
μ
A
I
C
=0.01mA, I
E
=0
I
C
=3mA, I
B
=0
I
E
=0.01mA, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CE
=1V, I
C
=3mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=6V, I
C
=5mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=0.1MHz to 1MHz
V
CE
=6V, I
C
=2mA, f=1KHz
V
CE
=6V, I
C
=1.5mA, f=200MHz
R
S
=50
V
CE
=6V, I
C
=5mA, f=200MHz
0.02
25
0.4
1
V
V
900
MHz
pF
1
25
4.5
dB
G
PE
Power Gain
15
dB
KST5179
RF Amplifier Transistor
7H
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KST5401 High Voltage Transistor
KST5550 High Voltage Transistor
KST5551 Amplifier Transistor
KST55 PLUG, SPEAKON, 8WAY
KST56 Driver Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KST5179MTF 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
KST5179MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST52 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN Darlington Transistors
KST5401 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Transistor
KST5401MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*