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參數(shù)資料
| 型號： | L60NH3LL |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-channel 30V - 0.0065ohm - 30A - PowerFLAT (6x5) Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道30V的- 0.0065ohm - 30A條-的PowerFLAT（6x5）超低柵極電荷STripFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 337K |
| 代理商： | L60NH3LL |
Electrical characteristics
STL60NH3LL
4/13
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
On/off states
Symbol
Parameter
Test condictions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
I
D
= 250μA, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero gate voltage drain
current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max rating,
V
DS
= Max rating,@125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate body leakage current
(V
DS
= 0)
V
DS
= ± 16V
±100
nA
V
GS(th)
Gate threshold voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
1
V
R
DS(on)
Static drain-source on
resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 8A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 8A
0.0065
0.0075
0.0085
0.0105
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test condictions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
iss
C
oss
C
rss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
DS
=25V, f = 1MHz, V
GS
=0
1810
565
41
pF
pF
pF
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
V
DD
= 15V, I
D
= 16A,
V
GS
= 4.5V
(see Figure 15)
18
4.8
5.3
24
nC
nC
nC
R
G
Gate input resistance
f=1 MHz Gate DC Bias = 0
Test signal level = 20mV
open drain
0.5
1.5
3
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