MBR12035R

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制造商
TRSYS
制造商全稱
Transys Electronics
功能描述
SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 120A

MBR12035R 技術(shù)參數(shù)

MBR12035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR12035 CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 MBR12030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR12030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR12020CTR 功能描述:DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 MBR120ESFT1G MBR120ESFT3 MBR120ESFT3G MBR120HWTR MBR120LSFT1 MBR120LSFT1G MBR120LSFT3 MBR120LSFT3G MBR120VLSFT1 MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3 MBR120VLSFT3G MBR12100LPS-TP MBR1240MFST1G MBR1240MFST3G MBR12U100L-TP MBR130HWTR MBR130LSFT1