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MBR40060CT
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
MOTOROLA
MODULE
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MBR40060CT
深圳市科思奇電子科技有限公司
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聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
MOTOROLA
原廠原裝
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只做原裝正品

MBR40060CT
林沃田信息技術(深圳)有限公司
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聯系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 60V 400
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MBR40060CT
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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MBR40060CT
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
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聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
資質：營業(yè)執(zhí)照
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MBR40060CTR
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
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聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業(yè)執(zhí)照
281
GeneSiC Semiconductor
標準封裝
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MBR40060CTR
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
GENESIC S
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MBR40060CT
深圳市澳億芯電子科技有限公司
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聯系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
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功能描述
肖特基二極管與整流器 60V 400A Schottky Recovery
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
產品
Schottky Diodes
峰值反向電壓
2 V
正向連續(xù)電流
50 mA
最大浪涌電流
配置
Crossover Quad
恢復時間
正向電壓下降
370 mV
最大反向漏泄電流
最大功率耗散
75 mW
工作溫度范圍
- 65 C to + 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-143
封裝
Reel

MBR40060CT 技術參數

MBR40045CTS 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 36V 安裝類型:螺釘安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:25 MBR40040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40040CT 功能描述:DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40035CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 35V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 35V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40150PT C0G MBR40150PTE3/TU MBR40150PTHC0G MBR40150WT MBR4015CTL MBR4015CTLG MBR4015LWT MBR4015LWTG MBR40200CT MBR40200PT C0G MBR40200PTE3/TU MBR40200PTHC0G MBR40200WT MBR40250 MBR40250G MBR40250T MBR40250TG MBR4030CT