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MCH6660-TL-W

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  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：180-3814-3894

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
    天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：13355446829

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：13355446829

    地址：中國上海

  • 100

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 100

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 1899

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  • 深圳市安博威科技有限公司
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    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 6000

  • ON/安森美

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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

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  • 1913

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MCH6660-TL-W 技術(shù)參數(shù)
  • MCH6626-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A，1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 800mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:105pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCHC11F1CFNE2R MCHC11F1CFNE3 MCHC11F1CFNE3R MCHC11F1CFNE4 MCHC11F1CFNE4R MCHC11F1CFNE5 MCHC11F1VFNE3 MCHC11F1VFNE4 MCHC11F1VFNE4R MCHC705B16NCFNE MCHC705B16NVFNE MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE MCHC705KJ1CPE MCHC711KS2CFNE3 MCHC711KS2CFNE4 MCHC711KS2MFNE4
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