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MLF2012DR18JT000

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  • MLF2012DR18JT000
    MLF2012DR18JT000

    MLF2012DR18JT000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • MLF2012DR18JT000
    MLF2012DR18JT000

    MLF2012DR18JT000

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 180000

  • TDK

  • 805

  • 11+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • MLF2012DR18JT000
    MLF2012DR18JT000

    MLF2012DR18JT000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝特價現(xiàn)貨?。?/p>

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MLF2012DR18JT000 技術參數(shù)
  • MLF2012DR15MTD25 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):200 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR15M 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):200 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR15KTD25 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±10% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):200 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR15KT000 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±10% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):200 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR15JTD25 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):200 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR22KT000 MLF2012DR22KTD25 MLF2012DR22M MLF2012DR22MT MLF2012DR22MT000 MLF2012DR22MTD25 MLF2012DR27JT000 MLF2012DR27JTD25 MLF2012DR27KT000 MLF2012DR27KTD25 MLF2012DR27M MLF2012DR27MT MLF2012DR27MT000 MLF2012DR27MTD25 MLF2012DR33JT000 MLF2012DR33JTD25 MLF2012DR33KT000 MLF2012DR33KTD25
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