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MLF2012DR82MTD25

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • MLF2012DR82MTD25
    MLF2012DR82MTD25

    MLF2012DR82MTD25

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • MLF2012DR82MTD25
    MLF2012DR82MTD25

    MLF2012DR82MTD25

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TDK CORPO

  • 帶卷(TR)

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
MLF2012DR82MTD25 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • MLF
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 多層
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 820nH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 150mA
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 650 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • 25 @ 25MHz
  • 頻率 - 自諧振
  • 130MHz
  • 等級
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 25MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0805(2012 公制)
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.057"(1.45mm)
  • 標準包裝
  • 1
MLF2012DR82MTD25 技術(shù)參數(shù)
  • MLF2012DR82M 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82KTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82KT000 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82JTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR68MTD25 功能描述:680nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):600 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:140MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012E120JTD25 MLF2012E120KT000 MLF2012E120KTD25 MLF2012E120M MLF2012E120MT MLF2012E120MT000 MLF2012E120MTD25 MLF2012E5R6JT000 MLF2012E5R6JTD25 MLF2012E5R6KT000 MLF2012E5R6KTD25 MLF2012E5R6M MLF2012E5R6MT MLF2012E5R6MT000 MLF2012E5R6MTD25 MLF2012E6R8JT000 MLF2012E6R8JTD25 MLF2012E6R8KT000
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