MLZ2012A3R3WTD25

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說明
操作

MLZ2012A3R3WTD25
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

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功能描述
3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
MLZ
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
多層
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
3.3μH
容差
±20%
額定電流
450mA
電流 - 飽和值
200mA
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
442 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
AEC-Q200
工作溫度
-55°C ~ 125°C
頻率 - 測試
10MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
0805（2012 公制）
大小/尺寸
0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.041"（1.05mm）
標準包裝
1

MLZ2012A3R3WTD25 技術參數(shù)

MLZ2012A3R3WT000 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:450mA 電流 - 飽和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:442 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:90MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A2R2WTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A2R2WT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 150 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:100MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012A1R5WTD25 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:750mA 電流 - 飽和值:250mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:169 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm）標準包裝:1 MLZ2012M100HT000 MLZ2012M100HTD25 MLZ2012M100WT000 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000 MLZ2012M2R2HTD25 MLZ2012M330WT000 MLZ2012M330WTD25 MLZ2012M3R3HT