MR106100R00BAE66

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MR106100R00BAE66
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Vishay Dale
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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制造商
Vishay Dale
功能描述
RESISTOR 100 OHM 1/4W .1% WW

MR106100R00BAE66 技術(shù)參數(shù)

MR-1 功能描述:SENSOR CURRENT ID7.2MM OD22.4MM 制造商:kemet 系列:MR 零件狀態(tài):有效匝數(shù)比 - 初級:次級:* 頻率:* 電感:- 額定電流:- DC 電阻（DCR）:- E.T.:- 安裝類型:底座安裝大小/尺寸:0.882" 長 x 0.760" 寬（22.40mm x 19.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.327"（8.30mm）端子類型:導線引線標準包裝:80 MR0DL08BMA45R 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM（磁阻 RAM）存儲容量:1M（128K x 8）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）封裝/外殼:48-LFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA（8x8）標準包裝:1 MR0DL08BMA45 功能描述:IC MRAM 1MBIT 45NS 48FBGA 制造商:everspin technologies inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:MRAM（磁阻 RAM）存儲容量:1M（128K x 8）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）封裝/外殼:48-LFBGA 供應商器件封裝:48-FBGA（8x8）標準包裝:349 MR0D08BMA45R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0D08BMA45 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 45ns Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR106250R00TAE66 MR106350R00AAE66 MR106350R00BAE66 MR106350R00TAE66 MR10FT25L0 MR10FT50L0 MR10FT80L0 MR10FTR300 MR10JT30L0 MR10JT40L0 MR10JTR500 MR10KT10L0 MR1208TRAY MR1225E24B1+6-FSR MR1225E24B1-FSR MR1225E24B2-FSR MR1225E24B-FSR MR1225H24B1+6-FSR