M29DW256G70ZA6E

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說明
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功能描述
IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA
RoHS
是
類別
集成電路 (IC) >> 存儲器
系列
Axcell™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
72
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
SRAM - 同步
存儲容量
4.5M（256K x 18）
速度
133MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
3.135 V ~ 3.465 V
工作溫度
0°C ~ 70°C
封裝/外殼
100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝
100-TQFP（14x20）
包裝
托盤

M29DW256G70ZA6E 技術(shù)參數(shù)

M29DW256G70NF6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) M29DW256G70NF6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) M29DW128F70ZA6F 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29DW128F70NF6E 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29DW128F60ZA6E 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29DW323DB70N6F TR M29DW323DB70ZE6E M29DW323DB70ZE6F TR M29DW323DB7AN6F TR M29DW323DB90N6 M29DW323DT70N6E M29DW323DT70N6F M29DW323DT70N6F TR M29DW323DT70ZE6E M29DW323DT70ZE6F M29DW323DT70ZE6F TR M29DW640F70N6E M29DW640F70ZE6E M29DW641F60ZE6E M29DW641F70N6E M29DW641F70N6F M29DW641F70N6F TR M29F002BB70K6E