參數(shù)資料
型號(hào)： MBR25H60CT-HE3/45
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： MBR25H60CT-HE3/45
Document Number: 88789
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Revision: 18-Mar-10
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3
MBR(F,B)25H35CT thru MBR(F,B)25H60CT
Vishay General Semiconductor
New Product
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25
°C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Derating Curve (Total)
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward
Surge Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
10
20
30
40
25
0
50
75
100
125
150
175
MBRF
MBR, MBRB
A
v
erage
Forwar
d
Curr
ent
(A)
Case Temperature (°C)
1
100
0
25
50
75
100
125
150
10
Number of Cycles at 60 Hz
Peak
Forwar
d
S
ur
ge
Curr
ent
(A)
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
0.01
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
1
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
In
s
tantaneou
s
Forwar
d
Curr
ent
(A)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
60
040
20
100
80
0.0001
0.001
0.1
0.01
1
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e
Leakage
Curr
ent
(mA)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
0.1
1
100
10
1000
100
10 000
Reverse Voltage (V)
Junction
Cap
acitance
(p
F)
MBR25H35CT, MBR25H45CT
MBR25H50CT, MBR25H60CT
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
0.01
0.1
1
10
t - Pulse Duration (s)
Tr
a
n
s
ient
Thermal
Impedance
(°C/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB25H35CT-E3/45 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB25H45CT-E3/45 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB25H45CT-HE3/81 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB25H60CT-HE3/81 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRF25H45CT-HE3/45 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR260_AY_10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MBR2H100SFT3G 功能描述:肖特基二極管與整流器 2A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2X030A045 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
MBR2X030A100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:840mV @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
MBR2X050A200 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:920mV @ 50A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:3mA @ 200V 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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