參數(shù)資料
型號： MGV075-13-E28
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： KA BAND, 1.08 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 612K
代理商： MGV075-13-E28
Aeroex / Metelics, Inc.
www.aeroex-metelics.com
3
Revision Date: 11/14/05
GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes
MGV Series,
Γ = 0.75±10%
Packaged
Electrical Specifications, T
A = 25 °C
V
BR = 22 V min.
Model
I
R
CT
Tuning Ratio
Q
MIN
C
P
L
P
TYP
nH
Package
MAX
nA
MIN
pF
NOM
pF
MAX
pF
MIN
TYP
pF
MGV075-08-E28 / 28 X
100
0.32
0.38
0.44
1.4
2.2
2.7
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-08H20
100
0.41
0.48
0.56
0.4
1.4
1.7
4,000
0.18
0.5
H20
MGV075-08-P55
100
0.36
0.43
0.50
0.9
1.8
2.2
4,000
0.13
0.35
P55
MGV075-08-0805-2
100
0.30
0.36
0.42
1.6
2.3
2.9
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-09-E28 / 28 X
100
0.42
0.48
0.54
1.6
2.3
2.9
4,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-09-H20
100
0.51
0.58
0.66
0.9
1.7
2.1
4,000
0.18
0.5
H20
MGV075-09-P55
100
0.46
0.53
0.60
1.3
2.0
2.5
4,000
0.13
0.35
P55
MGV075-09-0805-2
100
0.40
0.46
0.52
1.8
2.4
3.0
4,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-10-E28 / 28 X
100
0.52
0.58
0.64
1.8
2.4
3.0
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-10-H20
100
0.61
0.68
0.76
1.2
1.9
2.4
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-10-P55
100
0.56
0.63
0.70
1.5
2.1
2.7
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-10-0805-2
100
0.50
0.56
0.62
1.9
2.5
3.1
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-11-E28 / 28 X
100
0.70
0.78
0.86
1.9
2.5
3.1
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-11-H20
100
0.79
0.88
0.98
1.5
2.1
2.7
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-11-P55
100
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0.92
1.7
2.3
2.9
3,000
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0.35
P55
MGV075-11-0805-2
100
0.68
0.76
0.84
2.0
2.6
3.2
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-12-E28 / 28 X
100
0.79
0.88
0.97
1.9
2.5
3.2
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-12-H20
100
0.88
0.98
1.09
1.6
2.2
2.8
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-12-P55
100
0.83
0.93
1.03
1.7
2.4
3.0
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-12-0805-2
100
0.77
0.86
0.95
2.0
2.6
3.3
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-13-E28 / 28 X
100
0.97
1.08
1.19
2.0
2.6
3.2
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-13-H20
100
1.06
1.18
1.31
1.7
2.3
2.9
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-13-P55
100
1.01
1.13
1.25
1.8
2.5
3.1
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-13-0805-2
100
0.95
1.06
1.17
2.0
2.6
3.3
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-14-E28 / 28 X
100
1.15
1.28
1.41
2.0
2.6
3.3
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-14-H20
100
1.24
1.38
1.53
1.8
2.4
3.0
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-14-P55
100
1.19
1.33
1.47
1.9
2.5
3.2
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-14-0805-2
100
1.13
1.26
1.39
2.1
2.7
3.3
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-15-E28 / 28 X
100
1.42
1.58
1.74
2.1
2.7
3.3
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-15-H20
100
1.51
1.68
1.86
1.9
2.5
3.1
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-15-P55
100
1.46
1.63
1.80
2.0
2.6
3.2
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-15-0805-2
100
1.40
1.56
1.72
2.1
2.7
3.4
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-16-E28 / 28 X
100
1.69
1.88
2.07
2.1
2.7
3.4
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-16-H20
100
1.78
1.98
2.19
1.9
2.5
3.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-16-P55
100
1.73
1.93
2.13
2.0
2.6
3.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-16-0805-2
100
1.67
1.86
2.05
2.1
2.7
3.4
3,000
0.06
0.4
0805-2
MGV075-17-E28 / 28 X
100
1.87
2.08
2.29
2.1
2.7
3.4
3,000
0.08
0.4
E28 / 28X
MGV075-17-H20
100
1.96
2.18
2.41
1.9
2.6
3.2
3,000
0.18
0.5
H20
MGV075-17-P55
100
1.91
2.13
2.35
2.0
2.6
3.3
3,000
0.13
0.35
P55
MGV075-17-0805-2
100
1.85
2.06
2.27
2.1
2.7
3.4
3,000
0.06
0.4
0805-2
Test Conditions
V
R =
18 V
V
R = 4 V
F = 1 MHz
V
R = 2 to 12
V
R =
2 to 20
V
R = 4 V
F = 50
MHz
F = 1 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGV100-09-H20 KA BAND, 0.63 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV100-24-H20 KA BAND, 1.38 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV075-08-0805-2 KA BAND, 0.36 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV075-08-E28X KA BAND, 0.38 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MGV100-21-P55 KA BAND, 0.78 pF, 22 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGV-10.25B 制造商:Mencom 功能描述:
MGV1004100M-10 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 36.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:12A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:36.5 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R0M-10 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 17.5A 4.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:17.5A 電流 - 飽和值:36A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:4.1 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MGV10041R5M-10 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 15A 5.8 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:15A 電流 - 飽和值:27.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:5.8 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
MGV10042R2M-10 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 12A 9 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:MGV 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:12A 電流 - 飽和值:25.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.433" 長 x 0.394" 寬（11.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.169"（4.30mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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