參數(shù)資料
型號： MMBZ5247/E8
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 17 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 125K
代理商： MMBZ5247/E8
MMBZ5225
18E
3.0
20
30
1600
-0.075
50
1.0
MMBZ5226
8A
3.3
20
28
1600
-0.070
25
1.0
MMBZ5227
8B
3.6
20
24
1700
-0.065
15
1.0
MMBZ5228
8C
3.9
20
23
1900
-0.060
10
1.0
MMBZ5229
8D
4.3
20
22
2000
-0.055
5
1.0
MMBZ5230
8E
4.7
20
19
1900
±0.030
5
2.0
MMBZ5231
8F
5.1
20
17
1600
±0.030
5
2.0
MMBZ5232
8G
5.6
20
11
1600
+0.038
5
3.0
MMBZ5233
8H
6.0
20
7
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5
3.5
MMBZ5234
8J
6.2
20
7
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+0.045
5
4.0
MMBZ5235
8K
6.8
20
5
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+0.050
3
5.0
MMBZ5236
8L
7.5
20
6
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+0.058
3
6.0
MMBZ5237
8M
8.2
20
8
500
+0.062
3
6.5
MMBZ5238
8N
8.7
20
8
600
+0.065
3
6.5
MMBZ5239
8P
9.1
20
10
600
+0.068
3
7.0
MMBZ5240
8Q
10
20
17
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+0.075
3
8.0
MMBZ5241
8R
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20
22
600
+0.076
2
8.4
MMBZ5242
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20
30
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1
9.1
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8T
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13
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0.5
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15
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0.1
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0.1
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8W
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0.1
12
MMBZ5247
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0.1
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MMBZ5248
8Y
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21
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0.1
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MMBZ5249
8Z
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23
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+0.086
0.1
14
MMBZ5250
81A
20
6.2
25
600
+0.086
0.1
15
MMBZ5251
81B
22
5.6
29
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0.1
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MMBZ5252
81C
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0.1
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MMBZ5253
81D
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5.0
35
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MMBZ5254
81E
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MMBZ5255
81F
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+0.091
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MMBZ5256
81G
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600
+0.091
0.1
23
MMBZ5257
81H
33
3.8
58
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+0.092
0.1
25
MMBZ5258
81J
36
3.4
70
700
+0.093
0.1
27
MMBZ5259
81K
39
3.2
80
800
+0.094
0.1
30
MMBZ5260
18F
43
3.0
93
900
+0.095
0.1
33
MMBZ5261
81M
47
2.7
105
1000
+0.095
0.1
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MMBZ5262
81N
51
2.5
125
1100
+0.096
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39
MMBZ5263
81P
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2.2
150
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+0.096
0.1
43
MMBZ5264
81Q
60
2.1
170
1400
+0.097
0.1
46
MMBZ5265
81R
62
2.0
185
1400
+0.097
0.1
47
MMBZ5266
81S
68
1.8
230
1600
+0.097
0.1
52
MMBZ5267
81T
75
1.7
270
1700
+0.098
0.1
56
Type
Marking
Code
Nominal
Zener
voltage(3)
at
IZT
VZ(V)
Test
current
IZT(mA)
Maximum Zener
impedance(2)
Typical
temperture
coefficient
α
VZ
(%/°C)
Maximum reverse
leakage current
Test
IR
Voltage
(
A)
VR (V)
at
IZT
ZZT(
)
at
IZK = 0.25 mA
ZZK(
)
Notes: (1) The Zener Impedance is derived from the 1kHZ AC voltage which results when an AC current having an
RMS value equal to 10% of the Zener current (IZT or IZK) is superimposed on IZT or IZK.
Zener Impedance is measured at two points to insure a sharp knee on the breakdown curve
and to eliminate unstable units.
(2) Valid provided case is kept at ambient temperature.
(3) Measured at thermal equilibrium.
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted) Maximum VF = 0.9 V at IF = 10 mA
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Zener Diodes
相關PDF資料
PDF描述
MMBZ5230 4.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
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MMBZ5241 11 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5243 13 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5227/E9 3.6 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBZ5248B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5248B_D87Z 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5248B_Q 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5248B-7 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5248B-7-F 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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