參數(shù)資料
型號(hào): MMBZ5249/E8
廠商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 19 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大小: 125K
代理商: MMBZ5249/E8
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Zener Diodes
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ5247/E8 17 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5230 4.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5239 9.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5241 11 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ5243 13 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBZ5250B_D87Z 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5250B_Q 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5250B-7 功能描述:穩(wěn)壓二極管 350MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5250B-7-F 功能描述:穩(wěn)壓二極管 350MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel