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參數(shù)資料
| 型號： | MMBZ5262C-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 51 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | MMBZ5262C-GS08 |
VISHAY
MMBZ5225 to MMBZ5267
Document Number 85772
Rev. 1.3, 08-Jul-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
the Zener current (IZT or IZK) is superimposed on IZT or IZK. Zener Impedance is measured at two points to insure a sharp knee on the
breakdown curve and to eliminate unstable units.
2) Valid provided case is kept at ambient temperature.
3) Measured at thermal equilibrium.
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Figure 1. Forward characteristics
Figure 2. Capacitance vs. Zener Voltage
18114
18118
Figure 3. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Figure 4. Pulse Thermal Resistance vs. Pulse Duration
18672
° C
18116
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMBZ5231C | 5.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5233C | 6 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5251C-GS08 | 22 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MMBZ5262C-V-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 51 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5262C-V-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 51 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5262ELT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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