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參數(shù)資料
| 型號： | MMSZ9V1BW |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | MMSZ9V1BW |
Number: DB-100
April 14, 2008 / A
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ36VBW | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ43VBW | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4V7BW | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ3V0BW | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5V6BW | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSZ9V1ET1 | 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD-123 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMSZ9V1T1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ9V1T1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ9V1T3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMT05A230T3 | 功能描述:硅對稱二端開關元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
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