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NAND512R3A2SN6E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • NAND512R3A2SN6E
    NAND512R3A2SN6E

    NAND512R3A2SN6E

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖先生

    電話：13612973190

    地址：廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 9000

  • Micron

  • 48-TFSOP

  • 22+

  • -

  • 原廠渠道，現(xiàn)貨配單

  • NAND512R3A2SN6E
    NAND512R3A2SN6E

    NAND512R3A2SN6E

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Micron Technology Inc.

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十

  • NAND512R3A2SN6E
    NAND512R3A2SN6E

    NAND512R3A2SN6E

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售部：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 369

  • Micron Technology Inc.

  • *

  • 23+

  • -

  • 真實(shí)的資源竭誠服務(wù)您！

  • NAND512R3A2SN6E
    NAND512R3A2SN6E

    NAND512R3A2SN6E

  • 萬三科技（深圳）有限公司
    萬三科技（深圳）有限公司

    聯(lián)系人：王小康

    電話：181886423070755-21006672

    地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • Micron Technology Inc.

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -

  • 萬三科技 秉承原裝 實(shí)單可議

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • Micron Technology Inc
  • 功能描述
  • NAND - Trays
NAND512R3A2SN6E 技術(shù)參數(shù)
  • NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ NAND512R3A2BZA6E 功能描述:閃存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND512R3A2AZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 55VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 NAND512W3A2BN6F NAND512W3A2BZA6E NAND512W3A2CN6E NAND512W3A2CZA6E NAND512W3A2DN6E NAND512W3A2DZA6E NAND512W3A2SE06 NAND512W3A2SN6E NAND512W3A2SN6F TR NAND512W3A2SNXE NAND512W3A2SZA6E NAND512W3A2SZA6F TR NAND512W3A2SZAXE NAND512W4A0AN6E NANDAAR4N4AZBA5E NANEYE_CABLE_COLOURED_4WFLAT NANO_FIB_BOX_2.0 NANO_FIBER_DEMO_1MM
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