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NLV27WZ06DFT2G
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ON Semiconductor
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

NLV27WZ06DFT2G
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
ON Semiconductor
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

NLV27WZ06DFT2G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ONS
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

NLV27WZ06DFT2G
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
5000
ON
SOP
21+
-
原裝正品現貨，QQ:1585971070

NLV27WZ06DFT2G
深圳市訊順達科技有限公司
深圳市訊順達科技有限公司
聯系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐
電話：0755-827272340755-23915567
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A座15KL
資質：營業(yè)執(zhí)照
4200
ON Semiconductor
SC-88/SC70-6/SOT-363
23+
-
全新原裝歡迎詢價下單

NLV27WZ06DFT2G
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
深圳市高創(chuàng)鑫電子科技有限公司
聯系人：曾小姐
電話：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間
資質：營業(yè)執(zhí)照
15000
onsemi
SOT-363
2023+
-
原裝正品現貨，假1罰100

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制造商
ONSEMI
制造商全稱
ON Semiconductor
功能描述
Dual Inverter with Open Drain Outputs

NLV27WZ06DFT2G 技術參數

NLV25T-R82J-PF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:260MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R82J-EFD 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:260MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R82J-EF 功能描述:820nH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1 Ohm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:820nH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:260MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R68J-PF 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:300MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV25T-R68J-EFD 功能描述:680nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 850 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:680nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:30 @ 25.2MHz 頻率 - 自諧振:300MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:25.2MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.075"（1.90mm）標準包裝:1 NLV27WZU04DFT2G NLV32T-010J-EF NLV32T-010J-EFD NLV32T-010J-PF NLV32T-010J-PFD NLV32T-012J-EF NLV32T-012J-EFD NLV32T-012J-PF NLV32T-012J-PFD NLV32T-015J-EF NLV32T-015J-EFD NLV32T-015J-PF NLV32T-015J-PFD NLV32T-018J-EF NLV32T-018J-EFD NLV32T-018J-PF NLV32T-018J-PFD NLV32T-022J-EF