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NLV32T-3R9J-EFD

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • NLV32T-3R9J-EFD
    NLV32T-3R9J-EFD

    NLV32T-3R9J-EFD

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • NLV32T-3R9J-EFD
    NLV32T-3R9J-EFD

    NLV32T-3R9J-EFD

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • TDK

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
NLV32T-3R9J-EFD PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 3.9μH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • NLV-EFD
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 3.9μH
  • 容差
  • ±5%
  • 額定電流
  • 250mA
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 無(wú)屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 1.3 歐姆最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • 30 @ 7.96MHz
  • 頻率 - 自諧振
  • 55MHz
  • 等級(jí)
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 105°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 7.96MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1210（3225 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.094"（2.40mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
NLV32T-3R9J-EFD 技術(shù)參數(shù)
  • NLV32T-3R9J-EF 功能描述:3.9μH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±5% 額定電流:250mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.3 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:55MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-3R3J-PF 功能描述:3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1.2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-PF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.2 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:60MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-3R3J-EFD 功能描述:3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1.2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.2 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:60MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-3R3J-EF 功能描述:3.3μH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 1.2 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±5% 額定電流:260mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.2 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:30 @ 7.96MHz 頻率 - 自諧振:60MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-391J-EFD 功能描述:390μH Unshielded Wirewound Inductor 35mA 36 Ohm Max 1210 (3225 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:NLV-EFD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:390μH 容差:±5% 額定電流:35mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無(wú)屏蔽 DC 電阻（DCR）:36 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 796kHz 頻率 - 自諧振:5MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:796kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1210（3225 公制） 大小/尺寸:0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.094"（2.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 NLV32T-471J-PFD NLV32T-4R7J-EF NLV32T-4R7J-EFD NLV32T-4R7J-PF NLV32T-4R7J-PFD NLV32T-560J-EF NLV32T-560J-EFD NLV32T-560J-PF NLV32T-560J-PFD NLV32T-5R6J-EF NLV32T-5R6J-EFD NLV32T-5R6J-PF NLV32T-5R6J-PFD NLV32T-680J-EF NLV32T-680J-EFD NLV32T-680J-PF NLV32T-680J-PFD NLV32T-6R8J-EF
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