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NP89N055PUK-E1-AY

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  • NP89N055PUK-E1-AY
    NP89N055PUK-E1-AY

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  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • RENESAS/瑞薩

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • NP89N055PUK-E1-AY
    NP89N055PUK-E1-AY

    NP89N055PUK-E1-AY

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Renesas

  • TO-220

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
  • 1
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  • 制造商
  • RENESAS
  • 制造商全稱
  • Renesas Technology Corp
  • 功能描述
  • MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP89N055PUK-E1-AY 技術(shù)參數(shù)
  • NP5Q128AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC NP5Q128A13ESFC0E 功能描述:128MBIT P5Q PCM HV 3V SOIC LF RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Omneo™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 NP5Q064AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC NP5Q032AE3ESFC0E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP8P128AE3BSM60E NP8P128AE3T1760E NP8P128AE3TSM60E NP8S2D203QE NP8S2D2W4GE NP8S2D2W4QE NP8S2L203QE NP8S2P203QE NP8S2P2W3QE NP8S2R202GE NP8S2R203QE NP8S2R2W3GE NP8S2R2W4QE NP8S2T103QE NP8S2T202GE NP8S2T203QE NP8S2T2W3QE NP8S3D203QE
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