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NS12575T221MN

NS12575T221MN
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TAIYO
SMD
最新批號
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深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
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聯(lián)系人：銷售經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)中航路都會B座10012M
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北京耐芯威科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
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NS12575T221MNV 功率電感
深圳市亞泰盈科電子有限公司
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聯(lián)系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
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1825
COILCRAFT/線藝
1008
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深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
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NS12575T221MN PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
固定電感器 INDCTR SMD HI CUR 220uH 20%
RoHS
否
制造商
AVX
電感
10 uH
容差
20 %
最大直流電流
1 A
最大直流電阻
0.075 Ohms
工作溫度范圍
- 40 C to + 85 C
自諧振頻率
38 MHz
Q 最小值
40
尺寸
4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H
屏蔽
Shielded
端接類型
SMD/SMT
封裝 / 箱體
6.6 mm x 4.45 mm

NS12575T221MN 技術(shù)參數(shù)

NS12575T220MNV 功能描述:22μH Unshielded Wirewound Inductor 4.05A 31.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:4.05A 電流 - 飽和值:5.5A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:31.2 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:9.7MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T220MN 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 4.05A 31.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:4.05A 電流 - 飽和值:5.56A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:31.2 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:9.7MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T1R2NN 功能描述:1.2μH Shielded Wirewound Inductor 9.15A 6.96 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.2μH 容差:±30% 額定電流:9.15A 電流 - 飽和值:18.08A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:6.96 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:101.7MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T151MN 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 1.51A 193.2 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:150μH 容差:±20% 額定電流:1.51A 電流 - 飽和值:2.09A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:193.2 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:3.4MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T150MN 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 5.22A 22.08 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:15μH 容差:±20% 額定電流:5.22A 電流 - 飽和值:6.54A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:22.08 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:14MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.492" 長 x 0.492" 寬（12.50mm x 12.50mm）高度 - 安裝（最大值）:0.309"（7.85mm）標準包裝:1 NS12575T5R6NN NS12575T5R6NNV NS12575T680MN NS12575T680MNV NS12575T6R8NN NS12575T6R8NNV NS12-ATT01 NS12-KBA04 NS12-KBA05 NS12-KBA05N NS12-TS00B-V2 NS12-TS00-V2 NS12-TS01B-V2 NS12-TS01B-V2-HB NS12-TS01-V2 NS1501 NS1502 NS1503