您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > N字母型號搜索 > N字母第505頁 >

NX7021E0125.000000

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • NX7021E0125.000000
    NX7021E0125.000000

    NX7021E0125.000000

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Pericom

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
NX7021E0125.000000 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
NX7021E0125.000000 技術參數
  • NX7002BKXBZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):260mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V 功率 - 最大值:285mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN(1.1x1) 標準包裝:1 NX7002BKWX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V SC-70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 NX7002BKSX 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 標準包裝:1 NX7002BKR 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 1.67W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 NX7002BKMYL 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):23.6pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),3.1W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 標準包裝:1 NX7125003Z NX71C50001 NX71C50003 NX72F5506Z NX72F6208Z NX72G1102Z NX72W2201Z NX7335AN-AA-AZ NX7335BN-AA-AZ NX7337BF-AA-AZ NX7338BF-AA-AZ NX7339BB-AA-AZ NX7363JB-BC-AZ NX73K0004Z NX7437BF-AA-AZ NX7535BN-AA-AZ NX7537BF-AA-AZ NX7538BF-AA-AZ
配單專家

在采購NX7021E0125.000000進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買NX7021E0125.000000產品風險,建議您在購買NX7021E0125.000000相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的NX7021E0125.000000信息由會員自行提供,NX7021E0125.000000內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (beike2008.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號