日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車載、電源設(shè)備，開(kāi)發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低ir肖特基勢(shì)壘二極管“rbxx8系列”。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動(dòng)車（ev）和混合動(dòng)力車（hev）等要求更低功耗的電路節(jié)能。
本產(chǎn)品已從1月份開(kāi)始銷售樣品（樣品價(jià)格50～200日元／個(gè)），從5月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆rohm wako co., ltd.（日本岡山縣），后期工序在rohm-wako electronics (malaysia) sdn. bhd.（馬來(lái)西亞），rohm integrated systems (thailand) co.,ltd.（泰國(guó)）、rohm korea corporation（韓國(guó)）進(jìn)行。
高溫環(huán)境下使用的車載、電源設(shè)備的電路中，由于擔(dān)心熱失控，因此普遍采用整流二極管和快速恢復(fù)二極管（frd）。但是由于整流二極管和frd的vf值較高，因此很難實(shí)現(xiàn)ev和hev所要求的更低功耗。在這種背景下，vf值較低的肖特基勢(shì)壘二極管（sbd）在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)需求逐年高漲。
此次，羅姆通過(guò)采用最適合高溫環(huán)境的金屬，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)低ir化。與傳統(tǒng)的sbd相比，ir降低到約1/100，使高溫環(huán)境下的使用成為可能。
由此，整流二極管和frd的替換成為可能，vf特性得以大幅改善（與傳統(tǒng)的frd相比，vf降低約40％）。另外，更低vf可以抑制發(fā)熱，成功實(shí)現(xiàn)小型化封裝，有助于不斷電子化、小型化需求高漲的ev、hev節(jié)省空間。
羅姆今后還會(huì)進(jìn)一步推進(jìn)整流二極管的替換帶來(lái)的低vf化、小型化，不斷為提高車載、電源設(shè)備的效率做出貢獻(xiàn)。
特點(diǎn)
1）與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，損耗約降低40％
與一般用于車載的frd相比，vf降低約40％。有助于降低功耗。
2）小型封裝有助于節(jié)省空間
與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，可實(shí)現(xiàn)小一號(hào)尺寸的封裝設(shè)計(jì)。
3）高溫環(huán)境下亦無(wú)熱失控
實(shí)現(xiàn)了超低ir，因此ta=150℃也不會(huì)發(fā)生熱失控，可在車載等高溫環(huán)境下使用。
規(guī)格
術(shù)語(yǔ)解說(shuō)
1. 肖特基勢(shì)壘二極管（schottky-barrier diode：sbd）
使金屬和半導(dǎo)體接觸從而形成肖特基結(jié)，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“正向壓降少、開(kāi)關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開(kāi)關(guān)電源等。
2. 快速恢復(fù)二極管（fast recovery diode： frd）
正向施加的電壓向反向切換時(shí)，反向電流瞬間流過(guò)。這種電流到零之間的時(shí)間―即反向恢復(fù)時(shí)間快的一種二極管。
3. vf ( forward voltage)
是指正向電流經(jīng)過(guò)時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小功耗越少。
4. ir（reverse current）
是指施加反向電壓時(shí)發(fā)生的反向電流。數(shù)值越小功耗越少。
5. 熱失控
反向損耗超過(guò)散熱，損耗進(jìn)一步增加，產(chǎn)品溫度呈指數(shù)級(jí)上升的狀態(tài)。