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PDTA115TMB,315

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PDTA115TMB/XQFN3/REELP2// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
PDTA115TMB,315 技術參數
  • PDTA115TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTA115 標準包裝:1 PDTA115TK,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 PDTA115TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTA115EU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號:PDTA115 標準包裝:1 PDTA115ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:100 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:100 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 基本零件編號:PDTA115 標準包裝:1 PDTA123ETVL PDTA123EU,115 PDTA123JE,115 PDTA123JK,115 PDTA123JM,315 PDTA123JMB,315 PDTA123JQAZ PDTA123JS,126 PDTA123JT,215 PDTA123JTVL PDTA123JU,115 PDTA123TE,115 PDTA123TK,115 PDTA123TM,315 PDTA123TMB,315 PDTA123TT,215 PDTA123TT,235 PDTA123TU,115
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