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PDTC115EEF,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PDTC115EEF,115
    PDTC115EEF,115

    PDTC115EEF,115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
PDTC115EEF,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS NPN W/RES 50V SOT-490
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10,000
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）
  • 47k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA，5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
  • 300mV @ 500µA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • -
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 100MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SC-70，SOT-323
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PG-SOT323-3
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 其它名稱
  • SP000756242
PDTC115EEF,115 技術(shù)參數(shù)
  • PDTC115EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:100k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:100k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 基本零件編號(hào):PDTC114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 基本零件編號(hào):PDTC114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SC-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114YE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC115TM,315 PDTC115TMB,315 PDTC115TS,126 PDTC115TT,215 PDTC115TU,115 PDTC123EE,115 PDTC123EEF,115 PDTC123EK,115 PDTC123EM,315 PDTC123EMB,315 PDTC123ES,126 PDTC123ET,215 PDTC123ETVL PDTC123EU,115 PDTC123JE,115 PDTC123JK,115 PDTC123JM,315 PDTC123JMB,315
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