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PHB45NQ15T,118

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PHB45NQ15T,118
    PHB45NQ15T,118

    PHB45NQ15T,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話(huà)010-62...

  • PHB45NQ15T,118
    PHB45NQ15T,118

    PHB45NQ15T,118

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話(huà)：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 48000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • -

  • 授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

  • PHB45NQ15T,118
    PHB45NQ15T,118

    PHB45NQ15T,118

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話(huà)：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60661

  • NEXPERIA/安世

  • 授權(quán)代理

  • 2039+

  • -

  • 大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

  • PHB45NQ15T,118
    PHB45NQ15T,118

    PHB45NQ15T,118

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Nexperia

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
PHB45NQ15T,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 48A 3-Pin
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PHB45NQ15T,118 技術(shù)參數(shù)
  • PHB45NQ10T,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:47A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB38N02LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:44.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 20V 功率 - 最大值:57.6W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB33NQ20T,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32.7A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1870pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:77 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB32N06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1280pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:97W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB29N08T,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Tc） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:810pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:88W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 14A，11V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PHB-5R0V505-R PHB66NQ03LT,118 PHB73N06T,118 PHB78NQ03LT,118 PHB95NQ04LT,118 PHB96NQ03LT,118 PHC.0B.302.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD35 PHC.0B.303.CLLD35Z PHC.0B.303.CLLD42Z PHC.0B.303.CLLD52Z PHC.0B.304.CLLD21 PHC.0B.304.CLLD42 PHC.0B.304.CLLD42Z PHC.0B.304.CLLD52 PHC.0B.304.CLLD56Z PHC.0B.304.CYMD42Z PHC.0B.305.CLLD31Z
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