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PHD13005,127

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  • PHD13005,127
    PHD13005,127

    PHD13005,127

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 標準封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
PHD13005,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
PHD13005,127 技術參數(shù)
  • PHD13003C,412 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5 @ 1A,2V 功率 - 最大值:2.1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10,000 PHC2300,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):340mA,235mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):102pF @ 50V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHC21025,118 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A,2.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 2.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 PHB66NQ03LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):66A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):93W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PHB-5R0V505-R 功能描述:5F Supercap 5V Radial, Can 130 mOhm @ 100Hz 1000 Hrs @ 70°C 0.839" L x 0.433" W (21.30mm x 11.00mm) 制造商:eaton 系列:PowerStor PHB 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電容:5F 容差:-10%,+30% 電壓 - 額定:5V ESR(等效串聯(lián)電阻):130 毫歐 @ 100Hz 不同溫度時的使用壽命:70°C 時為 1000 小時 端接:通孔 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向,Can 引線間距:0.209"(5.30mm) 大小/尺寸:0.839" 長 x 0.433" 寬(21.30mm x 11.00mm) 高度 - 安裝(最大值):1.280"(32.50mm) 工作溫度:-25°C ~ 70°C 標準包裝:100 PHD23NQ10T,118 PHD3055E,118 PHD33NQ20T,118 PHD34NQ10T,118 PHD36N03LT,118 PHD37N06LT,118 PHD38999/20FB4PN PHD38999/20WB4PN PHD38999/24FB4PN PHD38999/26FB4SN PHD38999/26WB4SN PHD38999/26WC8SN PHD38999/26WF30SN PHD3899920FF30PN PHD3899920FH48PN PHD3899924WC8PN PHD3899926FB4PN PHD3899926WC8PA
配單專家

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