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PHPLUS

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PHPLUS 技術(shù)參數(shù)
  • PHP9NQ20T,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8.7A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.7A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):959pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):88W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP79NQ08LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):73A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3026pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):157W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP45NQ11T,127 功能描述:MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):105V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):47A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2930pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP45NQ10T,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):47A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHP36N03LT,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):43.4A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):690pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):57.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PHPT60606PYX PHPT60610NYX PHPT60610PYX PHPT61002NYCLHX PHPT61002NYCX PHPT61002PYCLHX PHPT61002PYCX PHPT610030NKX PHPT610030NPKX PHPT610030PKX PHPT610035NKX PHPT610035PKX PHPT61003NYX PHPT61003PYX PHPT61006NYX PHPT61006PYX PHPT61010NYX PHPT61010PYX
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